Tranzystor P-MOSFET FDN338P SOT23 (Farnell 9846301) 10szt.

6,10

Tranzystor FDN338P jest idealnym rozwiązaniem do aplikacji wymagających wysokiej sprawności, małych wymiarów oraz niskiego napięcia pracy. Dzięki niskiemu Rds(on) i szybkiemu przełączaniu, doskonale sprawdza się w urządzeniach przenośnych, układach zasilania oraz sterownikach logicznych. Kompaktowa obudowa SOT-23 pozwala na jego integrację w gęsto zaludnionych płytkach PCB, co czyni go doskonałym wyborem dla nowoczesnych aplikacji elektronicznych.
SKU: 1EC44M00065 Kategoria: GTIN: 1EC44M00065

Na stanie

Tranzystor FDN338P to tranzystor typu P-MOSFET w obudowie SOT-23, zaprojektowany do zastosowań, w których wymagana jest wysoka sprawność, niskie napięcie nasycenia, oraz szybkie przełączanie. Jest szeroko stosowany w urządzeniach przenośnych, przetwornicach DC-DC, oraz aplikacjach wymagających zarządzania zasilaniem.
  • Kod produktu: 1EC44M00065
  • Tranzystory są nowe.
  • 1 szt. = 10szt.
  • Dostępna większa ilość.

Specyfikacja:

Podstawowe Parametry

  • Typ tranzystora: P-MOSFET
  • Napięcie dren-źródło (Vds): -20 V
  • Prąd drenu (Id): -2,1 A (przy Tj=25°C)
  • Maksymalny impulsowy prąd drenu (Idm): -6 A
  • Rezystancja w stanie włączenia (Rds(on)):
    • 0,07 Ω przy Vgs = -4,5 V
    • 0,11 Ω przy Vgs = -2,5 V
  • Napięcie progowe (Vgs(th)): od -0,4 V do -1,4 V
  • Moc strat (Pd): 0,35 W (przy Tj=25°C)
  • Pojemność wejściowa (Ciss): 230 pF
  • Częstotliwość przełączania: Szybkie czasy przełączania, idealne dla aplikacji impulsowych.

Warunki Pracy

  • Zakres temperatur pracy: -55°C do +150°C
  • Obudowa: SOT-23 (montaż powierzchniowy - SMD)

Cechy Szczególne

  1. Niski Rds(on): Zapewnia małe straty mocy i wysoką efektywność energetyczną.
  2. Szybkie przełączanie: Idealny do aplikacji wymagających szybkiego przełączania.
  3. Kompaktowa obudowa SOT-23: Odpowiednia do urządzeń o ograniczonej przestrzeni.
  4. Napięcie bramki: Może pracować przy niskim napięciu Vgs, co pozwala na integrację z układami logicznymi o niskim napięciu (np. 3,3 V).
  5. Wszechstronność: Odpowiedni do aplikacji w systemach zasilania, sterowania oraz przenośnych urządzeniach elektronicznych.

Zastosowania

  • Przetwornice DC-DC: Jako klucz w topologii buck/boost.
  • Zarządzanie zasilaniem: Sterowanie przepływem prądu w układach zasilania i włączania/wyłączania urządzeń.
  • Aplikacje przenośne: W smartfonach, tabletach i innych urządzeniach, gdzie wymagana jest wysoka sprawność.
  • Sterowanie obciążeniem: W systemach, gdzie konieczne jest włączanie/wyłączanie obciążenia przy niskich stratach.
  • Systemy logiczne: Może współpracować z układami cyfrowymi o niskim napięciu logicznym.

Obudowa SOT-23

  • Wymiary:
    • Długość: ~2,9 mm
    • Szerokość: ~1,3 mm
    • Wysokość: ~1 mm
  • Typ montażu: SMD (montaż powierzchniowy)
  • Układ wyprowadzeń:
    • 1: Źródło (Source)
    • 2: Bramka (Gate)
    • 3: Dren (Drain)

Opinie

Na razie nie ma opinii o produkcie.

Napisz pierwszą opinię o „Tranzystor P-MOSFET FDN338P SOT23 (Farnell 9846301) 10szt.”

Twój adres e-mail nie zostanie opublikowany. Wymagane pola są oznaczone *

Powiązane produkty